甚麼是氮化鎵（GaN）？ | 美體產業公開資訊

氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬能隙半導體材料。由於具有更高的擊穿強度、更快的開關，更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率元件明顯比 ...

氮化鎵（GaN）是一種寬能隙半導體，用於高效功率電晶體和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵（AlGaN）薄層，並在界面施加應力，從而產生二維電子氣（2DEG）。2DEG用於在電場作用下，高效地傳導電子。2DEG具有高導電性，部份原因是由於電子被困在界面處的非常細小的區域，從而將電子的遷移率從未施加應力前約1000平方厘米/V·s，增加到2DEG區域中的1500至2000平方厘米/V·s。與矽基解決方案相比，氮化鎵電晶體及集成電路具有的高電子遷移率，可實現更高的擊穿强度、更快的開關、更高的導熱率和更低的導通電阻。

氮化鎵材料推動了具有更高性能的電晶體及集成電路的出現，目前是勇於創新的功率設計工程師的最佳時機，於他們的設計中，採用並發揮氮化鎵元件的優勢，包括：

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