宏捷科技股份有限公司 | 美體產業公開資訊

宏捷科技股份有限公司｜宏捷科技股份有限公司創立於1998年四月,位於台灣台南科學工業園區。1999年七月，發表第一片砷化鎵異質介面雙極電晶體(GaAsHBT)​， ...

宏捷科技股份有限公司係以製造如HBT (註1) / ED-pEHTM (註2) / ED-BiHEMT (註3) 為主之砷化鎵微波積體電路(GaAs MMIC)的專業晶圓代工廠。其高可靠度的HBT製程能力，可應用於手機如4G LTE / 5G Sub-6GHz，以及WiFi如WiFi5 (11.ac)、WiFi6 / WiFi6E (11.ax)之功率放大器(Power Amplifier) ; 同時，高效能的ED-pHEMT製程能力，以T-Gate技術實現開關(Switch)及低噪放(Low Noise Amplifier)設計，應用產品如衛星通訊、全球定位系統(GPS) 及WiFi；而單晶片高度整合設計的ED BiHEMT則亦可應用於智慧型手機及WiFi等產品。此外，在光通訊及3D感測領域中，宏捷科技在正面發光(Top Emitting)與背面發光(Bottom Emitting)的VCSEL (註4)技術皆有相當穩定且高良率的製程能力，並可整合如Microlens與Grating等技術。針對於高功率、高頻率的六吋氮化鎵 (GaN, Gallium Nitride)技術，亦在宏捷科技技術發展的藍圖當中，目前已完成製程開發，並與多個客戶進行工程討論中，預計將於2022年上半年開始量產。

砷化鎵製造技術有別於一般的半導體製造，它需要多年的實作經驗及充份瞭解GaAs材料之特性才能製造出優良品質與高良率的產品。本團隊成員來自各GaAs相關公司，對於GaAs製造技術、元件技術、線路設計、系統應用、整合以至於成品測驗、市場需求、行銷管道、售前售後服務均有相當豐富的歷練。這些傲人的技術及管理資源為公司成功的強力保證，其客戶群除了全球射頻積...